IBM и ее партнеры по разработке чипов сделали громкое заявление — им
удалось построить первую рабочую 22-нм SRAM-ячейку. Процессоры с
техпроцессом 22 нм появятся не ранее, чем через 3 года, но это известие
говорит о том, что производитель микросхем будет способен выйти на
новый уровень к концу 2011 года. Возможно, впервые за долгое время,
Intel потребуется больше времени на исследование и разработку для
сохранения технологического лидерства в техпроцессе 22 нм и менее.
SRAM-чип
обычно становится первым полупроводниковым прибором для тестирования
нового производственного процесса. Устройство было разработано и
произведено AMD, Freescale, IBM, STMicroelectronics, Toshiba и
Колледжем нанонаук и инженерии (CNSE) в традиционном 6-транзисторном
исполнении на 300-мм подложке и имело ячейку памяти размером всего 0,1
мкм2, у процессора Intel с техпроцессом 45 нм ее размер составляет
0,346 мкм2.
22-нм чип станет основой для двух поколений в будущем, что позволит
AMD догнать Intel с ее 45 нм. Intel представила первую 32-нм
SRAM-ячейку в сентябре прошлого года и не ожидается, что компания
представит SRAM-ячейку с техпроцессом 22 нм в течение следующего года.
IBM говорит, что усиленно работает над своей 32-нм технологией, и
обещает применить "ведущую 32-нм технологию с металлическим затвором и
диэлектриком с высоким коэффициентом диэлектрической пропускаемости
(high-K metal gate), которую ни одна компания или консорциум не смогут
превзойти". Компания не представила дополнительной информации для
обоснования этого утверждения, однако Intel уже внедряет high-K metal
gate начиная с конца 2007 года в 45-нм процессорах.
Пока рано ожидать появления процессоров с техпроцессами 32 нм и 22
нм, но очевидно, что давление на Intel заметно возрастает. В будущем мы
можем стать свидетелями интересной борьбы.
